Atšķirība starp izsmidzināšanas pārklājumu un vakuuma pārklājumu stikla uzņēmumā

Atšķirībā no vakuuma iztvaicēšanas, izsmidzināšana ir augstas enerģijas jonu izmantošana, lai sadurtos ar mērķa materiālu, lai atomu, molekulu, jonu veidošanās izlidotu, tādējādi veidojot plēvi uz pamatnes.

Šī instrumentu apstrādes metode ir visbiežāk izmantotā metode mūsu stikla pudeļu rūpnīcā ražošanas popularizēšanā un industrializācijā. Izsmidzināšanas fenomenu atklāj A1 grova uz katoda uz izlādes caurules virsmas.

Augstas enerģijas joni (vai neitrālie joni) un mērķa materiāli, lai radītu elastīgu sadursmi, jonu mērķa virsma absorbē šo impulsu, un pēc tam turpmāka sadursme ar apkārtējiem joniem, kā rezultātā tiek nogriezti mērķa virsmas atomi, kas saistīti ar saiti starp atoma virsma izlido, kā rezultātā notiek izsmidzināšana.

Visa veida izsmidzināšanas radītie efekti ir efektīvi divkāršākai elektronu emisijai, stikla katoda (mērķa) izsmidzināšanai, gāzu analītiskajai sadalīšanai, katoda sildīšanai, pagalma izplatībai izkārtojumā, režģa maiņai un jonu implantācijai. Salīdzinot ar krītošo pozitīvo daļiņu skaitu, R kļūst par stikla pudeles divu elektronu emisijas koeficientu, un tā vērtību ietekmē mērķa materiāla īpašības, pozitīvā jona masa, jonizācijas potenciāls un abu impulsa lielums. elektroni.

Kad pozitīvā daļiņu enerģija sasniedz no desmitiem līdz simtiem elektronvoltu, stikla uzņēmumā R vērtība ir vairāki 1% dažas desmitās daļas.

Pozitīvajam jonam saduroties ar mērķi, tas uzsilst un 75% no tā enerģijas pārvēršas siltumā, tāpēc mērķa materiāls ir jāatdzesē, lai mērķis varētu sadalīties vai pat izšķīdināt. Kopumā vakuuma tvaiku enerģija no iztvaikošanas avota, lai izlidotu no atoma stikla rūpnīcā, ir 0.1ev, mērķa materiālā izšļakstās atoma enerģija nekā vakuuma iztvaikošanas avotam, lai izlidotu ārā. atomu enerģijas lielums līdz lielai 1–2 kārtai, aptuveni 5–10 ev, katrai laika vienībai ir izsmidzināšanas ātruma r,r vērtība un krītošā pozitīvā jonu blīvuma un izsmidzināšanas koeficienta vērtība ir proporcionāla produktam.